2．5Gb／s GaAsPIN／PHEMT单片集成光接收机前端

焦世龙; 叶玉堂; 陈堂胜; 杨先明; 李拂晓; 邵凯; 吴云峰

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2．5Gb／s GaAsPIN／PHEMT单片集成光接收机前端

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采用0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种PIN光探测器和分布放大器单片集成850nm光接收机前端。探测器光敏面直径为30μm,电容为0.25pF,10V反向偏压下的暗电流小于20nA。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.50dB之间。单片集成光接收机前端在1.0和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。

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来源
《光电子．激光》 |2008年第2期|191-195|共5页
作者
焦世龙; 叶玉堂; 陈堂胜; 杨先明; 李拂晓; 邵凯; 吴云峰;
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作者单位

电子科技大学光电信息学院;

单片集成电路与模块国家级重点实验室;

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光纤通信;
关键词
PIN光探测器; 分布放大器; 光接收机; 眼图;

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