a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用

赵颖; 熊绍珍; 王宗畔; 孟志国; 代永平; 周祯华; 张建军; 姚伦

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a-SiTFT中钼与非晶硅之间的互作用

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本文报导当在室温下向非晶硅（ａ－Ｓｉ）表面溅射钼（Ｍｏ）的过程中，Ｍｏ与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在ａ－Ｓｉ界面为反应速率限制，而在与Ｍｏ交界面则为扩散速率限制。互作用生成非晶态钼硅Ｍｏ：ａ－Ｓｉ合金。它可阻止铝（Ａｌ）向ａ－Ｓｉ中扩散，同时可改善ａ－ＳｉＴＦＴ的接触特性。当用Ａｌ／Ｍｏ作ａ－Ｓｉ薄膜晶体管（ａ－ＳｉＴＦＴ）的源和漏电极时，可提高开关电流比达７～８个数量级。

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来源
《光电子．激光》 |1999年第2期|102-106|共6页
作者
赵颖; 熊绍珍; 王宗畔; 孟志国; 代永平; 周祯华; 张建军; 姚伦;
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作者单位

南开大学光电子所;

教育部光学信息技术科学开放研究实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN321.5;TN304.12;
关键词
非晶硅; 钼硅互作用; 非晶钼硅合金; 薄膜晶体管;

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