倒置型PLED的电致发光特性研究

杨广华; 吴春亚; 马海英; 李娟; 周祯华; 孟志国; 熊绍珍

首页> 中文期刊> 《光电子．激光》 >倒置型PLED的电致发光特性研究

倒置型PLED的电致发光特性研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

提出一种以聚合物MEH PPV为发光材料,结构为Al/MEH PPV/CuPC/ITO的倒置型发光器件(I PLED)。对既是空穴传输层又是轰击缓冲层的CuPC厚度以及MEH PPV的浓度对器件性能影响的分析发现,在实验条件下,最佳的CuPC厚度约为3.5nm,最佳的MEH PPV浓度约为3‰;采用小分子染料红莫稀(Rubrene)对聚合物发光材料MEH PPV掺杂发现,器件的亮度从未掺杂的40 4cd·m2提高到掺杂后的207.7cd/m2,其发光峰从未掺杂的624nm蓝移到掺杂后的592nm,但其I V特性并没有明显的变化。

著录项

来源
《光电子．激光》 |2004年第11期|1270-1273|共4页
作者
杨广华; 吴春亚; 马海英; 李娟; 周祯华; 孟志国; 熊绍珍;
展开▼
作者单位

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.1;TN312.8;
关键词
PLED; 电致发光特性; MEH-PPV; 器件性能; 发光材料; 发光器件; 缓冲层; 掺杂; 发光峰; 蓝移;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 阻隔型聚对亚苯基乙炔电致发光特性研究 [J] . 牛俊峰 ,杨慕杰 ,孙景志 . 化学学报 . 2001,第003期
2. 单个铂酞菁分子在正负偏压激发下的电致发光特性研究 [J] . Aftab Farrukh ,田晓俊 ,孔繁芳 . 化学物理学报 . 2021,第001期
3. 基于电致发光相位谱对电缆绝缘交流空间电荷特性的研究 [J] . 宋鹏先 ,房晟辰 ,王晓然 . 绝缘材料 . 2020,第3期
4. 光谱角度特性良好的叠层暖白光有机电致发光器件的研究 [J] . 许万里 ,吴志军 . 光子学报 . 2019,第4期
5. 基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究 [J] . 林圳旭 ,林泽文 ,张毅 . 物理学报 . 2014,第003期
6. “X”型布局高超声速倒置进气道攻角特性研究 [C] . 郑日升 ,郑日恒 ,崔佃飞 . 中国工程热物理学会2014年年会 . 2014
7. 倒置型PLED研究及a-Si PIN/PLED器件模拟分析 [A] . 陈有素 . 2002

倒置型PLED的电致发光特性研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅