脊形波导激光器中GaInP/AlGaInP选择蚀刻性的研究

高峰; 吴麟章

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脊形波导激光器中GaInP/AlGaInP选择蚀刻性的研究

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本文制做了 6 70 nm Ga In P/ Al Ga In P应变层单量子阱脊形波导激光器。为了进一步优化工艺 ,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入了 30～ 5 0 nm的 Ga In P蚀刻阻挡层。用此种材料加工而成的腔长12 0 0 μm、宽 6 4μm的氧化条激光器的阈值电流密度为 340 A/ cm2。采用配比为 1.0∶ 2 .5的 HCl∶H2 O溶液对 Ga In P/ Al Ga In P进行湿蚀刻研究。

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来源
《光电子．激光》 |2001年第9期|899-901|共3页
作者
高峰; 吴麟章;
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作者单位

清华大学精仪系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器;
关键词
GaInP/AlGaInP; 蚀刻阻挡层; 选择蚀刻性; 脊形波导激光器;

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