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10占空比大功率半导体激光器线阵列

摘要

利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939.5nm,光谱的半高全宽(FWHM)为2.3nm,在400μs、250Hz的输入电流下,输出峰值功率达到65W(75A),斜率效率高达1W/A,阈值电流密度为185A/cm2,最高转换效率可达42%。

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