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900 nm窄发散角量子阱激光器

摘要

使用传输矩阵方法模拟光场特性,设计了带有模式扩展层的900nm窄发散角量子阱激光器(LD),利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了器件。垂直方向远场发散角由常规结构LD的35°减小为20°,且阈值电流和光限制因子都没有明显变化。

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