双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究

杨建义; 王帆; 江晓清; 屈红昌; 吴亚明; 王明华

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双环推挽型高线性M-Z光强调制器特性研究

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对损耗影响下的双环推挽(TRAPP)型马赫-曾德(M-Z)光调制器的线性特性进行了研究。分析表明,存在损耗时,设计特定的光微环与M-Z干涉臂间的耦合大小,并控制偏置点,总可以获得2次与3次高阶项为零的调制曲线;当微环1周损耗小于5 dB时,线性范围总是可以达到90%以上;当损耗过大时,导致基于微环的全通滤波器的相位响应受限,虽然调制曲线在自身范围内依然保持高的线性度,但调制曲线固有的调制深度将限制整体线性范围。

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来源
《光电子．激光》 |2005年第10期|1157-1162|共7页
作者
杨建义; 王帆; 江晓清; 屈红昌; 吴亚明; 王明华;
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作者单位

浙江大学信息与电子工程学系;

中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类集成光学器件;
关键词
集成光学; 光调制器; 马赫-曾德(M-Z)干涉仪; 线性调制; 光微环谐振器; 全通滤波器;

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