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低真空条件下制备的银薄膜的电阻率特性及结构

         

摘要

研究了在2.2 Pa低真空条件下用直流溅射法制备的银薄膜的电阻率特性和薄膜结构.实验表明,薄膜厚度对薄膜电阻率有显著影响,随膜厚的增加薄膜电阻率降低,在膜厚大于200 nm时趋于稳定,电阻率为2.54×10-8 Ω·m.薄膜表面和晶粒间界对传导电子的散射导致了银薄膜电阻率的尺寸效应.研究结果表明,可以在2.2 Pa的低真空条件下制备金属银薄膜,将银靶用于目前大学物理实验课中金属薄膜制备及金属薄膜电阻率测量实验是可行的.

著录项

  • 来源
    《物理实验》 |2007年第3期|3-6,13|共5页
  • 作者单位

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

    北京科技大学,应用科学学院,物理系,北京,100083;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 薄膜物理学;
  • 关键词

    银薄膜; 电阻率; 结构;

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