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张国义;
机译:通过HVPE生长比较在MOCVD-GaN / Al_2O_3和MOCVD-GaN / SiC样品上生长的GaN薄膜的应变
机译:低压MOCVD在EPI-GAN / SAPPHIRE(0001)基材上生长的β-GA2O3薄膜的研究
机译:通过低压MOCVD在γ-LiA1O_2(3 0 2)衬底上生长的非极性a面GaN膜
机译:利用MOCVD在GaN衬底上生长的GaN pn结中的陷阱的深层瞬态光谱表征
机译:通过新颖的衬底改性技术在GaN上进行GaN的MOCVD生长。
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过低压MOCVD在γ-LiAlO2(3 0 2)衬底上生长的非极性a面GaN膜
机译:在HpVE生长的模板和自支撑GaN衬底上的N型GaN层的mOCVD生长和蚀刻
机译:GaN垂直通道结场 - 效应晶体管,通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)重生P-GaN
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)在多孔氮化镓(GaN)模板上生长氮化铟镓(InGaN)
机译:金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在多孔氮化镓(GAN)模板上生长氮化铟镓(INGAN)
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