激光加热基座晶体生长——提高氧化物超导体材料临界电流密度的工艺途径

机译：纳米-超导体复合材料-高临界电流密度材料的途径

机译：热压烧结途径显着提高机械合金化Nb3Al超导体的临界电流密度性能

机译：通过在激光浮区生长过程中施加电流来提高BSCCO超导体的临界电流密度

机译：熔融织构的SmBaCuO超导体中的中子辐照提高了临界电流密度

机译：了解为什么谷物边界限制了Fe基超导体的临界电流密度，并探讨了提高电流密度的方法

机译：静水压力：一种非常有效的方法可显着提高粒状铁离子超导体的临界电流密度

机译：一种利用Zr氧化物细化晶粒尺寸提高单元素内锡工艺超导体电流密度的方法

机译：提高高温超导体临界电流密度（J（sub c））和临界温度（T（sub c））的研究

机译：增加高温超导体的临界电流密度涉及缓慢冷却超导体材料，以通过对准魏斯区来实现更高的临界电流密度。

机译：用感应线圈估算氧化物超导体的临界电流密度和临界电流密度分布的方法。

机译：用于制造具有提高的临界电流密度的氧化物基超导体的设备及其制造方法