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卫冰;
无;
磁控管; 六氟化硫; 等离体; 锗; 蚀刻;
机译:在具有SiCl4 / SF6等离子体的AlxGa1-XP存在下,高度选择性干蚀刻间隙
机译:通过电感耦合CF4等离子体对锗进行干蚀刻
机译:氢等离子体干蚀刻与VLS机理相结合的硅和锗纳米结构的制备
机译:高纵横比深Si蚀刻微/纳米尺度特征,具有SF6 / H2 / O2等离子体,在低等离子体密度反应离子蚀刻系统中
机译:氯五氟乙烷等离子体化学性质及其对硅锗和二氧化硅蚀刻速率的影响
机译:SF6优化的对二甲苯C的O2等离子体蚀刻
机译:在基于SF6的等离子体中通过低温等离子体增强的原子层沉积法生长的氮化铝掩模层的等离子体蚀刻特性
机译:在电感耦合等离子体中基于Cl(sub 2)的alGaInN系统的干蚀刻
机译:在等离子体蚀刻电极中,由等离子体蚀刻电极和干蚀刻装置构成
机译:- 增强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻
机译:增强等离子体处理系统中的等离子体增强蚀刻
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