高压脉冲发生器中SiC MOSFET串联均压电路新方法

高岩; 刘卫平; 邱春玲; 杨磊

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高压脉冲发生器中SiC MOSFET串联均压电路新方法

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传统RCD动态均压电路是以牺牲MOSFET快速性为代价来换取动态电压均衡,无法满足某些快速性响应要求较高的场合.鉴于此,在传统RCD电路基础上,采用一种新型宽禁带半导体器件SiC MOSFET,提出一种改进的新型动态均压电路.创造性地提出双重均压反馈机制,一方面利用瞬态电压抑制二极管(TVS)箝位电路代替大电容恒压源,有效提高开关速度,抑制动态不均压;另一方面通过米勒效应抑制漏源极电压斜率的变化率,不仅能进一步改善均压效果,还可降低开关损耗,获得较为理想的高压脉冲.最后通过仿真和实验,验证了该电路不仅动态均压效果好,且开关速度可达纳秒级,在实际应用中具有相当可观的实用价值.

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来源
《电力电子技术》 |2017年第2期|121-124|共4页
作者
高岩; 刘卫平; 邱春玲; 杨磊;
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作者单位

吉林大学,仪器科学与电气工程学院,吉林长春130000;

吉林大学,仪器科学与电气工程学院,吉林长春130000;

吉林大学,仪器科学与电气工程学院,吉林长春130000;

吉林大学,仪器科学与电气工程学院,吉林长春130000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类脉冲的产生、脉冲发生器;
关键词
高压脉冲发生器; 均压电路; 双重均压反馈机制;

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