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基于LDMOS栅漏电容特性的研究

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此处主要对LDMOS栅漏电容(CCD)进行分析与计算,并借助二维器件模拟软件MEDICI模拟并分析了栅漏电容与漏源电压的关系,通过计算得到的数据与软件模拟结果的对比.研究了场极板长度、场氧化层厚度、P阱注入剂量,漂移区浓度4个结构工艺参数对栅漏电容的影响.

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来源
《电力电子技术》 |2012年第3期|90-92|共3页
作者
张志伟; 高珊; 陈军宁; 罗扣;
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作者单位

安徽大学,电子信息工程学院,安徽合肥230039;

安徽大学,电子信息工程学院,安徽合肥230039;

安徽大学电子信息工程学院,安徽合肥230039;

安徽大学,电子信息工程学院,安徽合肥230039;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
栅漏电容; 漂移区; 场极板;

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