宽禁带半导体电力电子器件研发新进展

陈治明

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@@ 理论和十余年的研发实践都已证明,碳化硅、氮化镓和金刚石等宽禁带半导体比硅更适合用来制造电力电子器件.随着材料与器件工艺以及封装技术的逐渐完善,这些器件超乎寻常的高阻断电压、低通态比电阻和比热阻、低开关损耗、以及耐高温抗辐照等特点逐渐彰显十世,其开拓性的试用更在现代电力电子技术领域产生了不小的震撼,使新型电力电子装置的开发有了更高的节能和环保目标.

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来源
《电力电子技术》 |2009年第11期|1-4|共4页
作者
陈治明;
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作者单位

西安理工大学,陕西,西安,710048;

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正文语种 chi
中图分类输配电工程、电力网及电力系统;
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