组合式绝缘栅双极晶体管的工作原理与特性

李双美; 尹常永

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提出了一种新型MOS控制晶闸管,即组合式绝缘栅双极晶体管(CIGBT),它通过在公共的n阱和P阱内部串联MOSFET的阴极单元而形成.而n阱和P阱可产生一个特有的自箝位特征,可保证阴极免受任何过电压的冲击,进一步改善了其安全工作范围.仿真实验结果证明,CIGBT可大大改善IGBT的通态特性和开关性能.

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来源
《电力电子技术》 |2008年第12期|10-11,28|共3页
作者
李双美; 尹常永;
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作者单位

沈阳工程学院,辽宁,沈阳,110136;

沈阳工程学院,辽宁,沈阳,110136;

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正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
晶体管; 晶闸管/绝缘栅双极晶体管;

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