MOSFET在四极管控栅驱动电源中的应用

丁同海

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介绍了一种MOSFET的新用法.利用MOSFET截止区的漏电流ID随控制栅极电压UGS成指数关系的特性,将其串联在直流电源和四极管控制栅负载之间,通过UGS的变化来反馈控制MOSFET漏电流的大小,从而改变其负载与四极管控制栅电压的大小,最终实现四极管稳压调节输出恒定的高压给托卡马克加热用的NBI或ECH负载.驱动电源的单独调试和带动实际四极管负载的实验均表明,该设计稳定、可靠,构思巧妙,对托卡马克ECH和NBI加热所需的高压电源设计、研制具有很好的应用前景,同时也扩展了MOSFET的应用领域.

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来源
《电力电子技术》 |2007年第6期|29-31|共3页
作者
丁同海;
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作者单位

中国科学院等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031;

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正文语种 chi
中图分类电源;控制线路;
关键词
高压电源/金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 四极管;

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