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新型SiGe开关功率二极管的特性分析

         

摘要

提出了一种新型SiGe/Si异质结P-i-N开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其性能远远超过Si的同类型结构.

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