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周友昆;
无;
晶体管; 二次击穿; 测量;
机译:检查功率器件促进Si / SiC器件更高的击穿电压GaN正在商业化用于高频应用
机译:具有电荷不平衡的超结功率器件的击穿电压:对穿通和非穿通器件均有效的分析模型
机译:氮化镓基功率器件的发展趋势与硅器件相比,它实现了低损耗,高击穿电压和高温工作,每个公司的发展都在朝着大规模生产迈进。
机译:GaN功率开关器件中的器件击穿和动态效应:对材料特性和器件设计的依赖
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调谐,可在2GHz时实现碳化硅功率MESFET器件的峰值性能。
机译:高功率密度无介体微流体生物光伏器件用于蓝细菌细胞
机译:非线性器件表征和二次谐波阻抗调整,可在2GHz时实现SiC功率MESFET器件的峰值性能
机译:半导体结器件的二次击穿和损坏
机译:能够防止由于击穿电压或故障而造成损坏的功率半导体设备
机译:高击穿强度的半导体器件,其制造以及使用该器件的功率转换器件
机译:ESD器件布局,可有效减小内部电路面积,避免ESD和击穿损坏,并有效保护高压IC
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