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梁苏军; 罗晋生;
不详;
Pn结; 平面型; 终端技术;
机译:具有部分GaN / Si异质结的新型垂直功率MOSFET通过击穿点传输终端技术提高击穿电压
机译:基于弯曲结扩展的横向双扩散MOSFET的新型衬底终端技术
机译:LDMOST的多层浮动掩埋层纵向结终端技术
机译:使用非常深的沟槽的高压结终端技术的新概念
机译:基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计,技术和特性,可增强高频功率放大。
机译:倾斜和不对称的klein隧道跨越平滑的NP结或8-pmmn硼烯的NPN结
机译:新型功率MOSFET采用部分SIC / SI异质结,通过击穿点转移来改善击穿电压(BPT)终端技术
机译:用于单片集成Npn和pnpalGaas / Gaas异质结双极晶体管的超低电阻率材料的研究
机译:利用微加热器形成多晶硅的硅层的方法,形成PN结的方法和由该PN结形成的PN结
机译:微加热器阵列,使用其的PN结形成方法以及包括大面积的微加热器阵列和PN结的PN结装置
机译:半导体功率组件用于高压应用的双极晶体管具有带垂直堆叠的pn结的电荷补偿区域,其中结的击穿电压之和小于漂移区的电压
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