高能效应用的第一块工业化1200V JFET模块

冯幼明（译）; 王传敏（译）

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减小损耗是功率电子学最富挑战性的发展方向之。众所周知，象SiC开关这样的宽禁带器件，在降低通态损耗和开关损耗方面表现出最佳特性。10年前，英飞凌公司向市场推出TSiC肖特基势垒二极管。现在SiC JFET已经成熟，该器件具有令人信服的低功率损耗、高可靠性和鲁棒性，并且应用简单、成本适当。本文介绍丁利用JFET的优异特性研制的第一个工业化功率模块。

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来源
《电力电子》 |2011年第5期|P.48-50,14|共4页
作者
冯幼明（译）; 王传敏（译）;
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作者单位

北京微电子技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类结型场效应晶体管;
关键词
JFET; 肖特基势争二极管;

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