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高压IGBT驱动技术解决方案--北京落木源电子技术有限公司

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随着功率半导体技术的发展，IGBT的耐压等级已经从1200V、1700V发展到了3300V、4500V乃至6500V，在高电压应用的设备中，比如高压变频器、高压无功补偿、轨道交通等，以往实现高耐压的方法是多个1700V的IGBT串联，但分立模块导致可靠性成倍下降，并且容易出现分压不均、

著录项

来源
《电力电子》 |2011年第5期|P.55-55|共1页
作者

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作者单位

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类变频器、混频器;
关键词
高压变频器; IGBT; 电子技术; 驱动技术; 功率半导体技术; 北京; 无功补偿; 轨道交通;

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