用一个P沟和N沟MOS场效应管组成的逆变器级

赵宏嵩（译）; 郝锐（译）; 周元钧（译）

首页> 中文期刊> 《电力电子》 >用一个P沟和N沟MOS场效应管组成的逆变器级

用一个P沟和N沟MOS场效应管组成的逆变器级

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

现在的汽车上有很多电力驱动装置。从车窗的起落装置到电动助力转向系统，各种不同的动力都是由不同的电机和电子元器件组合来提供和实现的。用来驱动这些应用装置的变换器一般是由几个N沟道场效应管，一个驱动集成电路，一个微处理器，和通信与电源设备组成。典型的应用是驱动电动机的功率开关，只有一个H桥拓扑或是三相桥结构。作为微处理器和功率场效应管的接口，驱动电路将提供给场效应管的栅极必要的电流和电压，以保证它达到安全和预期的开关性能。针对汽车对于安全性方面的较高要求，一些保护功能也被纳入到驱动电路中，比如短路保护和过温保护。本文主要介绍一种新的方法，即用一个P沟道MOS场效应管作为高压端开关，而一个N沟道MOS场效应管作为低压端开关。先介绍其优点，再分析它的缺点。此外，本文还介绍P／N沟道组合的驱动集成电路，此电路现在市场上没有出现。

著录项

来源
《电力电子》 |2011年第5期|P.19-22|共4页
作者
赵宏嵩（译）; 郝锐（译）; 周元钧（译）;
展开▼
作者单位

北京航空航天大学;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN722.75;
关键词
电力驱动装置; 电源设备;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 大功率MOS场效应管新产品：标准和MegaMOS^TM FET—N沟增强型 [J] . 孙桂莲 ,朱兆宗 . 电子科技杂志 . 1991,第3期
2. 华虹NEC与AOSL成功开发新一代沟深功率MOS场效应管技术 [J] . . 集成电路应用 . 2003,第007期
3. 氮化N沟MOS场效应管的界面陷阱特性 [J] . 王伟 . 半导体杂志 . 1998,第001期
4. 30伏P沟VDMOS场效应管的设计 [J] . 王中文 ,胡雨 ,石广源 . 辽宁大学学报（自然科学版） . 2007,第003期
5. 一个适用于短沟HALO结构MOS器件的直接隧穿栅电流模型 [J] . 赵要 ,许铭真 ,谭长华 . 半导体学报：英文版 . 2006,第7期
6. P沟和N沟MOS场效应管的辐照研究 [C] . 牟维兵 ,徐曦 . 第三届全国物理及其应用学术研讨会 . 2006
7. 砾石组成对崩积体坡面细沟径流挟沙力的影响 [A] . 陈培松 . 2020

用一个P沟和N沟MOS场效应管组成的逆变器级

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅