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具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT3芯片技术

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本文介绍了新一代IHM.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术.首批IHM.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率.本文还对宇宙射线以及功率循环试验进行了研究.

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来源
《电力电子》 |2010年第1期|69-72|共4页
作者
Th.Stolze; J.Biermann; R.Spanke; M.Pfaffenlehner;
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作者单位

英飞凌科技股份公司;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
具备更强机械性能; 高功率IGBT模块; 3.3kV IGBT3芯片技术;

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