NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

Alex Q.Huang; 许曙明; 王潇

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NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

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本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET-TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合.基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍.一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿.

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来源
《电力电子》 |2010年第2期|48-50|共3页
作者
Alex Q.Huang; 许曙明; 王潇;
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作者单位

北卡罗来纳州立大学;

德克萨斯仪器公司;

精英公共关系顾问(北京)公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类
关键词
NexFET; MOSFET; 齐纳二极管; 电源管理; 模拟; 德州仪器(TI);

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