针对802．11n标准的RF前端面世

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SiGe半导体公司（SiGe Semiconductor Inc．）推出第一颗满足802．11n标准草案的RF前端器件，在10mm×14mm的面积内该器件集成了两个双频段发射／接收链路。SiGe无线数据产品总监Andrew Parolin介绍说，制造商期待它比802．11b／g所用RF器件的占位空间还要小，尽管新的802．11n标准是第一个采用多输入多输出（MIMO）的Wi—Fi架构。

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来源
《电力电子》 |2006年第2期|61|共1页
作者

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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体技术;
关键词
RF器件; 标准草案; Semiconductor; SiGe半导体公司; 前端; 802．11b; 面世; Andrew; 多输入多输出; 数据产品;

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