IGBT器件新结构及制造技术的新进展

许平

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IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

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来源
《电力电子》 |2005年第1期|21-26|共6页
作者
许平;
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作者单位

清华大学微电子所100084;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类倍频器、分频器、变频器;
关键词
穿通型IGBT; 非穿通型IGBT; 超大规模集成电路;

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