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采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性

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摘要

采用反相方法测试台架在实际工作条件下,对ABB公司提供的实验性3.3kV IGCT进行了特性测定。这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小,开关损耗也降低了。这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世,它们可以用于较高开关频率(超过1kHz)和大电流工况,以改善大功率变换器的性能。

著录项

来源
《电力电子》 |2004年第6期||共7页
作者
S.阿尔瓦雷斯; P.拉杜克斯; J.布拉奎尔; E.卡洛尔; P.斯特瑞特; 张斌;
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作者单位

中央大学电工技术系;

电气工业INPT电工技术实验室;

ABB公司半导体分部;

清华大学电力电子厂;

蒙德雷根;

20500;

图卢兹;

31071;

楞次堡CH-5600;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
特性测试; 集成门极换流晶闸管（IGCT）; 反相方法测试台架;

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