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李寿全; 张宇隆; 黄以明; 郑广州;
北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司;
金属-氧化物半导体场效应晶体管; 碳化硅; 失效机理;
机译:高温栅极电压逐步测试,以评估1200 V SIC MOSFET中的可靠性差异
机译:高温DC和AC栅极应力对功率SiC MOSFET性能和可靠性的研究。
机译:SiC MOSFET失效模式和设计可靠性的简要概述
机译:单脉冲雪崩应力下SiC功率MOSFET失效机理的试验研究
机译:使用SiC MOSFET的高温逆变器的外围电路研究。
机译:纳米半导体封装中高温老化后金和钯包覆铜线的可靠性评估和活化能研究
机译:冷接触技术的失效机理,失效模型和可靠性评估
机译:空气中高温下全CVI和全pIp siC / siC复合材料的蠕变/应力断裂行为及失效机理。
机译:P SiC SiC MOSFET用P掺杂粉末制造SiC MOSFET的方法和用该方法制造的SiC MOSFET
机译:SiC MOSFET的SiC MOSFET的制造方法,包括热处理以增强柱状结构的结晶度,并且使用该方法制造的SiC MOSFET
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