SiC单管并联模组功率循环及失效机理研究

魏兆阳; 王佳宁; 黄耀东; 樊志鑫

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SiC单管并联模组功率循环及失效机理研究

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碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其优越的材料特性正逐渐替代硅(Si)基器件成为电力变换的核心器件,其长期运行的可靠性是一直以来的研究焦点。功率循环试验是评估其可靠性的有效方法,但目前大多试验的研究对象均为独立的单管或模块,此处将由多个SiC MOSFET单管、陶瓷片、导热硅脂、叠层母排及水冷散热器组成的模组作为研究对象,通过功率循环试验对其整体可靠性进行评估,并通过结构函数法实现模组整体热阻的监测以及导热硅脂热阻退化程度的判断。试验结果表明,在功率循环试验后SiC MOSFET单管结到外壳的热阻基本保持不变,模组的失效原因为导热硅脂层热阻增大引起结温升高,最终导致键合线先失效。

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来源
《电力电子技术》 |2022年第8期|123-127|共5页
作者
魏兆阳; 王佳宁; 黄耀东; 樊志鑫;
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作者单位

合肥工业大学;

合肥综合性国家科学中心能源研究院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
金属氧化物半导体场效应晶体管; 功率循环; 失效机理;

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