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表面粗化提高GaN基发光二极管光提取效率的研究

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通过对GaN基发光二极管的表面进行粗化,可以改变出射光的方向,使那些满足全反射光改变方向后折射出来,从而提高了发光二极管的出光效率。实验结果表明,粗化芯片在20mA注入电流下,粗化芯片的光提取效率提高了23%,由于接触面积的增加,正向电压降低了0.11V。

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来源
《电子制作》 |2014年第2x期|7-7|共2页
作者
冯异;
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作者单位

西安中为光电科技有限公司;

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正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
GaN基发光二极管; 表面粗化; 光提取效率;

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