脉冲激光沉积Ta_2O_5薄膜的Al/Ta_2O_5/n-Si结构的C-V和DLTS研究

张胜坤; 付正文; 柯炼; 秦启宗; 陆昉; 王迅

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Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2)=4,ε(Si_3N_4)=7),高阻抗,低内应力,及耐高压等优点。因此,它在未来的Si集成电路工艺中具有潜在的应用前景。迄今为止,人们尝试了用许多方法来制备Ta_2O_5薄膜,其中包括反应性溅射沉积,低压化学气相沉积(LPCVD),等离子体增强化学气相沉积(PECVD),光诱导化学气相沉积等,并对薄膜的结构和电学特性做了大量的研究工作。然而,对脉冲激光沉积的Ta_2O_5薄膜的电学性质的研究还未见报道。

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来源
《自然科学进展》 |1998年第3期|364-370|共7页
作者
张胜坤; 付正文; 柯炼; 秦启宗; 陆昉; 王迅;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

复旦大学激光化学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.42;
关键词
脉冲激光沉积; 五氧化二钽; 薄膜; 电学性质; DLTS;

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