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葛慧琳;
国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心,广东广州510530;
ZnO; 磁性材料; 制备方法;
机译:Mn掺杂的掺锌的ZnO基磁性半导体的第一性原理研究:自旋电子学的材料
机译:制备方法和ZnO /(ZnO + TiO2)重量比对ZnO-TiO2纳米材料的物理化学和光催化性能的影响
机译:用第一性原理计算法比较纤锌矿和闪锌矿结构中掺铁的ZnO基稀疏和凝聚磁性半导体
机译:ZnO基磁性半导体的材料设计
机译:激活 TiO2和 电场 的 烧结 固态 辅助 ZnO基 材料 的 烧结
机译:发光二极管用ZnO材料的制备方法及发光性能
机译:共掺杂对ZnO基半磁性半导体薄膜的影响
机译:陶瓷纤维增强玻璃 - 陶瓷基复合材料的制备方法
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
机译:p型ZnO基化合物半导体层的制造方法,ZnO基化合物半导体元件的制造方法,p型ZnO基化合物半导体单晶层,ZnO基化合物半导体元件和n型ZnO基化合物半导体层叠结构
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