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KGdF4:Tb3+绿色荧光粉的合成及其负热猝灭效应

         

摘要

通过水热合成法制备了一系列具有发光负热猝灭的KGdF4:Tb3+绿色荧光粉,并通过XRD进行了晶体结构分析,SEM观察形貌,EDS分析元素组成,荧光光谱(PLE&PL)分析常温发光性能和温度依赖性发光.基于光谱分析结果,样品的最强吸收峰在377 nm处,最强发射峰位于541 nm,KGdF4:0.3Tb3+发光具有负热猝灭现象;在测试温度范围内(35~295°C),样品的发光强度随温度的升高而增强,在195°C和215°C时的积分发光强度分别为35°C时的194.3%和214.9%.KGdF4:0.3Tb3+优异的高温性能表明其在WLEDs中具有广阔的应用前景.

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