纳米MoS2制备及MoS2/Al的I-V性能研究

马兴科; 郭新江

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纳米MoS2制备及MoS2/Al的I-V性能研究

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用前驱体分解法制备纳米MoS2微粒；并且以铝片为基底,制备了MoS2/Al薄膜,对MoS2/Al薄膜的I-V性能进行了研究.结果表明:以(NH4)6Mo7O24 ·4H2O和(NH4)2S为原料,在60℃氨水溶液中合成了具有金属光泽的斜方晶系(NH4)2MoS4.(NH4)2MoS4在80℃水中分解4h,制备得到粒径约100 nm ～200 nm的纳米MoS2微粒,团聚严重.以热浸镀法制备的MoS2/Al涂层薄膜经过30 min、40 min、60 min退火处理的样品的I-V曲线均具有良好的半导体性能.

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来源
《科学技术与工程》 |2013年第28期|8467-8471|共5页
作者
马兴科; 郭新江;
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作者单位

河南工业大学理学院,郑州450001;

河南工业大学理学院,郑州450001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.82;
关键词
纳米MoS2; 前驱体分解法; MoS2/Al薄膜; I-V性能;

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