静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

机译：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的累积静电放电（ESD）损坏的测试方案和退化模型

机译：非对称自共栅绝缘体上硅n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管实现共源电流镜电特性的实验和仿真分析

机译：大功率绝缘体上硅金属半导体场效应晶体管的新型双沟道结构的仿真分析

机译：基于横向双极型晶体管的亚微米集成电路的进/出焊盘静电放电保护

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法

机译：静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法

机译：EsD（静电放电）/ EOs（电过载）对一类双极射频功率晶体管的敏感性：对带状线对置发射晶体管的实验研究

机译：免费的MOS型集成电路，具有在静电放电作用下与npn型双极型晶体管同时极化的保护元件，其中晶体管消除了放电电流

机译：具有双极型晶体管的LDMOS晶体管器件的集成静电放电（ESD）钳位

机译：在半导体子结构上制造双极型晶体管，或双极型和场效应晶体管或具有互补型场效应晶体管的双极型和场效应晶体管的方法