发光二极管芯片侧面倾角对光萃取效率的影响

杨义军; 胡珊; 朱骏

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发光二极管芯片侧面倾角对光萃取效率的影响

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通过TracePro光学仿真软件的模拟仿真,研究了不同侧面倾角对LED芯片光萃取效率的影响。建立了侧面倾角为0°、15°、30°以及45°,边长为300μm正方形LED芯片模型;并对其进行光输出仿真。结果表明改变LED芯片侧面倾角可以提高其光萃取效率。当LED的侧面倾角从0°增加到45°时,光萃取效率呈现先增加,后减小的规律。在侧面倾角为30°时,光萃取效率最大,为20.6%;与垂直侧面LED相比,增加约13.2%。

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来源
《科学技术与工程》 |2013年第35期|10496-10500|共5页
作者
杨义军; 胡珊; 朱骏;
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作者单位

扬州大学物理科学与技术学院;

扬州光电材料与应用研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN312.8;
关键词
发光二极管(LED); 光萃取效率; TracePro; 侧面倾角; 光学仿真;

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