InAs/AlSb HEMTs的单粒子效应模拟研究

曲狄; 陈世彬

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本文单粒子效应的研究目的,旨在研究异质结器件InAs/AlSb HEMTs在重离子辐照下失效的概率.文中研究了InAs/A1Sb HEMTs的Ⅰ-Ⅴ特性对沿45度方向入射、线性能量传输因子0.2,作用时间0.1ps,重离子轨迹0.1um的重离子辐照的响应规律.结果表明:随着栅极偏压由负到正的改变,InAs/AlSb HEMTs器件由不能工作到能够正常工作,所以在重离子辐射条件下栅极偏压影响着InAs/AlSb HEMTs器件能否正常工作.

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来源
《科技信息》 |2012年第7期|78-79|共2页
作者
曲狄; 陈世彬;
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作者单位

西安工业大学理学院陕西西安710032;

西安工业大学理学院陕西西安710032;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
InAs/AlSb HEMTs; 异质结; 单粒子效应; Ⅰ-Ⅴ特性;

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