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Al-N共掺杂制备ZnO薄膜及其性能研究

         

摘要

运用真空射频磁控溅射[1]反应系统(JGPS00D1)进行薄膜沉积,在经过镜面抛光过的Si单晶片衬底上[2],利用掺杂质量2%Al的ZnC∶Al陶瓷靶(纯度为99.99%),采用施主-受主共掺杂的方法,在N2于Ar体积比1∶1的混和气体的气氛下,制备了Al-N共掺杂的ZnO薄膜.探讨了掺杂对薄膜晶体结构、表面形貌及电学性能影响.

著录项

  • 来源
    《科技视界》 |2012年第32期|2346|共2页
  • 作者单位

    牡丹江师范学院 黑龙江牡丹江 157012;

    牡丹江师范学院新型碳基功能与超硬材料省级重点实验室 黑龙江牡丹江157012;

    牡丹江师范学院 黑龙江牡丹江 157012;

    牡丹江师范学院 黑龙江牡丹江 157012;

    牡丹江师范学院 黑龙江牡丹江 157012;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
  • 关键词

    AL-N共掺杂; ZnO薄膜; 磁控溅射;

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