二维高阶拓扑绝缘体拓扑相变以及光电导研究

朱婉情; 单文语

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我们研究了二维高阶拓扑绝缘体在面外磁化下的拓扑相变以及光电导行为。我们发现,不依赖于电子轨道的塞曼项不破坏系统的高阶拓扑性质以及角态的存在,但是不能产生非零的霍尔光电导。依赖于电子轨道的塞曼项可能带来新的拓扑相变,产生陈绝缘体相。拓扑相变点对应于光电导的峰值或跃变点。这些现象为我们利用光学手段表征和检测二维高阶拓扑绝缘相提供了新的可能性。

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来源
《科学技术创新》 |2023年第9期|88-92|共5页
作者
朱婉情; 单文语;
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作者单位

广州大学物理与材料科学学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类凝聚态物理学;
关键词
拓扑材料; 二维高阶拓扑绝缘体; 拓扑相变; 光电导;

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