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单斜结构氧化钨电子性质的第一性原理研究

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摘要

利用第一性原理计算方法研究了单斜结构氧化钨的电子性质,计算表明,单斜结构氧化钨是窄带隙的间接带隙半导体,零压下的带隙为1.36 eV。W-O化学键是共价键和离子键的混合。

著录项

来源
《科学技术创新》 |2018年第4期|P.24-25|共2页
作者
孙霄霄;
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作者单位

牡丹江师范学院物理与电子工程学院,黑龙江牡丹江157012;

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正文语种 CHI
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
第一性原理; WO3; 电子性质;

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