40V低压P沟VDMOS产品的设计与工艺研究

丁文华; 智晶; 刘琦; 单长玲; 常婷婷

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40V低压P沟VDMOS产品的设计与工艺研究

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低压MOSFET具有低导通损耗、快开关速度和高输入跨导的优点,目前在一些便携电子设备中应用十分广泛。本文研究了低压P沟VDMOS产品的设计方法,针对40伏P沟VDMOS产品进行了参数设计和结构优化,利用二维仿真软件ISE-TCAD对器件的电学特性进行了仿真模拟。产品经流片、测试,技术参数达到了设计要求。

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来源
《科学技术创新》 |2018年第26期|P.170-171|共2页
作者
丁文华; 智晶; 刘琦; 单长玲; 常婷婷;
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作者单位

西安卫光科技有限公司陕西西安710065;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
低压P沟; 结构优化; 仿真模拟; 技术参数;

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