欧盟为5G打造III-V族CMOS技术

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欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III—V族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合III-V族晶体管通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。

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《半导体信息》 |2016年第2期|P.19-20|共2页
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正文语种 CHI
中图分类语音信号处理;
关键词
CMOS技术欧盟互补金属氧化物半导体技术整合纳米半导体规格要求雷达系统 III;

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