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吴琪乐;
石墨烯 GHz IBM IC制造 华盛顿特区 Electron 制造技术 化学气相沉积 电子迁移率 技术论文;
机译:0.35-μmBiCMOS中的20GHz差分Colpitts VCO
机译:采用0.25μmSiGe BICMOS技术的具有有源巴伦的20GHz低噪声放大器
机译:qubic4g:F {sub} t / f {sub}(max)= 70 / 100ghz0.25μm低功耗SiGe-BICMOS生产技术,具有高品质的流动,用于12.5GB / S光网络和新兴无线应用,高达20GHz
机译:CMOS兼容石墨烯 - 硅光电探测器
机译:超薄自对准SiC纳米线阵列的按需CMOS兼容制造。
机译:CMOS兼容装置中的集成2D石墨烯氧化物薄膜增强光学非线性性能
机译:Implementacao Da Linguagem Ops5 para Computadores Compativeis COm O IBm-pC(与IBm-pC兼容的计算机Ops5语言的实现)
机译:与CMOS制造技术兼容的双极器件
机译:用AISCN电介质和2D材料通道发布CMOS兼容铁电场效应晶体管
机译:在BICMOS集成电路制造技术中制造电容器的方法
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