首页> 中文期刊> 《半导体信息》 >Vishay推出PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET器件

Vishay推出PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET器件

         

摘要

正宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3 mm×3 mm、6 mm×3.7 mm和6 mm×5 mm PowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号