高线性度单压E—pHEMT FET

江兴

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正 ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计,广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地轨道卫星系统、陆地多信道多端口分布系统(MMDS)、无线局域网(WLAN)、无线本地环路(WLL)、固定无线接入及工作频率在50MHz～6GHz之间的其他服务中。在2GHz的单电压操作时,ATF—501P8能实现更高效的多信道放大功能,处理更

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来源
《半导体信息》 |2004年第1期|P.24-24|共1页
作者
江兴;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN322.8;
关键词
高线性度 pHEMT FET 无线本地环路多信道低噪声放大器单电场效应管固定无线接入近地轨道分布系统;

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