美研制成大功率GaAs MMIC开关

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正 California Eastrn Labs.研制成新的砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)SPDT开关,类似于 NEC 公司的 UPG2009TB。这种开关在2.5 GHz 下的 Pin(0.1 dB)为+34dBm,隔离为25 dB(典型值),插入损耗为0.4 dB(典型值)。该开关可用于发射机/接收机、天线和功率电平控制开关。

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来源
《半导体信息》 |2003年第2期|P.27-27|共1页
作者
盛柏桢;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类电气、电子工业;
关键词
控制开关 GaAs MMIC 功率电平插入损耗 California 砷化镓;

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