IBM率先采用薄型SOI大圆片芯片设计技术

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正美国《电子新闻》2003年9月30日报道,IBM宣布,它将率先采用薄型SOI(硅绝缘体)大圆片芯片设计技术制造SiGe双极晶体管。这是IBM在同一个薄型SOI大圆片上制造SiGe双极晶体管和CMOS电路新技术上所采取的又一个重大步骤。 IBM说:这种设计与最新水平的薄型硅双极技术相比,可在无线设备上把性能提高四倍或者把功耗降低80%。

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来源
《半导体信息》 |2003年第6期|P.29-29|共1页
作者
千里;
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正文语种 CHI
中图分类设计;
关键词
圆片 IBM SOI 双极晶体管薄型技术制造 SiGe 电子新闻副总裁蜂窝电话;

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