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MBE法生长的调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构材料的输运特性研究

         

摘要

采用变磁场霍尔效应方法,在低磁场(B<0.6T)和低温(T=77K)条件下,研究了HEMT器件用调制掺杂GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结构材料的输运特性。给出了材料电学参数(ρ、n和μ)与B的依赖关系,揭示了平行电导对材料质量的影响,并对上述依赖关系作了初步的定量分析。

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