8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

于玲莉; 丁奎章; 吴阿惠; 何庆国

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8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

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报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。

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来源
《微纳电子技术》 |1995年第4期|17-19|共3页
作者
于玲莉; 丁奎章; 吴阿惠; 何庆国;
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作者单位

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正文语种 chi
中图分类 TN430.2;TN722.02;
关键词
单片集成; 分布放大器; MMIC; 宽带;

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