通过量子阱异质结中最佳带隙偏移改善量子阱激光器的性能

李学颜

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我们分析了量子阱异质结的带隙偏移对量于阱（ＱＷ）激光器性能的影响。表明，除了应变之外，带隙偏移的优化也能改进ＱＷ激光器的性能，尤其是能够同时达到超低阈值电流和高速。改进步骤是从减少ＱＷ激光器填充态开始，因为在光限制区导带结构和价带结构的不对称性可以通过ＱＷ异质结的最佳带隙偏移来补偿。其结果为设计高性能的ＱＷ激光器以及其它有源激光器件提供了设计规范。

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来源
《微纳电子技术》 |1994年第5期|32-35|共4页
作者
李学颜;
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正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
量子阱; 激光器; 异质结; 带隙偏移;

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